IXXP12N65B4D1
IXXP12N65B4D1
Modelo do Produto:
IXXP12N65B4D1
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
IGBT
Quantidade em estoque:
57878 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IXXP12N65B4D1.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:1.95V @ 15V, 12A
Condição de teste:400V, 12A, 20 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:13ns/158ns
Alternando Energia:440µJ (on), 220µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220
Série:XPT™, GenX4™
Inversa de tempo de recuperação (trr):43ns
Power - Max:160W
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Tempo de entrega padrão do fabricante:24 Weeks
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
portão de carga:34nC
Descrição detalhada:IGBT 650V 38A 160W Through Hole TO-220
Atual - Collector Pulsada (ICM):70A
Atual - Collector (Ic) (Max):38A
Email:[email protected]

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