IXXP12N65B4D1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IXXP12N65B4D1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IXXP12N65B4D1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IXXP12N65B4D1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IXXP12N65B4D1
- Part Number:
- IXXP12N65B4D1
- Producent:
- IXYS Corporation
- Opis:
- IGBT
- Wielkość zbiorów:
- 57878 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IXXP12N65B4D1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 650V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 1.95V @ 15V, 12A |
| Stan testu: | 400V, 12A, 20 Ohm, 15V |
| Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C: | 13ns/158ns |
| Przełączanie Energy: | 440µJ (on), 220µJ (off) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220 |
| Seria: | XPT™, GenX4™ |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 43ns |
| Moc - Max: | 160W |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 24 Weeks |
| Typ wejścia: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | - |
| brama Charge: | 34nC |
| szczegółowy opis: | IGBT 650V 38A 160W Through Hole TO-220 |
| Obecny - Collector impulsowe (ICM): | 70A |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 38A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IXXP12N65B4D1
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025