IXXP12N65B4D1
IXXP12N65B4D1
Modello di prodotti:
IXXP12N65B4D1
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
IGBT
Quantità di magazzino:
57878 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IXXP12N65B4D1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:1.95V @ 15V, 12A
Condizione di test:400V, 12A, 20 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:13ns/158ns
di scambio energetico:440µJ (on), 220µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220
Serie:XPT™, GenX4™
Tempo di ripristino inverso (trr):43ns
Potenza - Max:160W
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:-
carica gate:34nC
Descrizione dettagliata:IGBT 650V 38A 160W Through Hole TO-220
Corrente - collettore Pulsed (Icm):70A
Corrente - collettore (Ic) (max):38A
Email:[email protected]

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