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IXXP12N65B4D1
- Modèle de produit:
- IXXP12N65B4D1
- Fabricant:
- IXYS Corporation
- La description:
- IGBT
- Quantité en stock:
- 57878 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- IXXP12N65B4D1.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 650V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 1.95V @ 15V, 12A |
| Condition de test: | 400V, 12A, 20 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C: | 13ns/158ns |
| énergie de commutation: | 440µJ (on), 220µJ (off) |
| Package composant fournisseur: | TO-220 |
| Séries: | XPT™, GenX4™ |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 43ns |
| Puissance - Max: | 160W |
| Package / Boîte: | TO-220-3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 24 Weeks |
| Type d'entrée: | Standard |
| type de IGBT: | - |
| gate charge: | 34nC |
| Description détaillée: | IGBT 650V 38A 160W Through Hole TO-220 |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm): | 70A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 38A |
| Email: | [email protected] |
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