FGY100T65SCDT
Modelo do Produto:
FGY100T65SCDT
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
FS3TIGBT TO247 100A 650V
Quantidade em estoque:
52976 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
FGY100T65SCDT.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:1.9V @ 15V, 100A
Condição de teste:400V, 100A, 4.7 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:84ns/216ns
Alternando Energia:5.4mJ (on), 3.8mJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247-3
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):62ns
Power - Max:750W
Caixa / Gabinete:TO-247-3 Variant
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Status sem chumbo:Lead free
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
portão de carga:157nC
Descrição detalhada:IGBT Trench Field Stop 650V 200A 750W Through Hole TO-247-3
Atual - Collector Pulsada (ICM):300A
Atual - Collector (Ic) (Max):200A
Email:[email protected]

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