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FGY100T65SCDT
- Artikelnummer:
- FGY100T65SCDT
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- FS3TIGBT TO247 100A 650V
- Bestandsmenge:
- 52976 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- FGY100T65SCDT.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 650V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 1.9V @ 15V, 100A |
| Testbedingung: | 400V, 100A, 4.7 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C: | 84ns/216ns |
| Schaltenergie: | 5.4mJ (on), 3.8mJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-247-3 |
| Serie: | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 62ns |
| Leistung - max: | 750W |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-247-3 Variant |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Bleifreier Status: | Lead free |
| Eingabetyp: | Standard |
| IGBT-Typ: | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung: | 157nC |
| detaillierte Beschreibung: | IGBT Trench Field Stop 650V 200A 750W Through Hole TO-247-3 |
| Strom - Collector Pulsed (Icm): | 300A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 200A |
| Email: | [email protected] |
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