CDBGBSC201200-G está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para CDBGBSC201200-G, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para CDBGBSC201200-G por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre CDBGBSC201200-G com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
CDBGBSC201200-G
- Modelo do Produto:
- CDBGBSC201200-G
- Fabricante:
- Comchip Technology
- Descrição:
- DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 40588 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- CDBGBSC201200-G.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.8V @ 10A |
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 1200V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-247 |
| Velocidade: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 0ns |
| Caixa / Gabinete: | TO-247-3 |
| Temperatura de Operação - Junção: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo Diode: | Silicon Carbide Schottky |
| configuração de diodo: | 1 Pair Common Cathode |
| Descrição detalhada: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 25.9A (DC) Through Hole TO-247-3 |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 100µA @ 1200V |
| Atual - rectificada média (Io) (por Diode): | 25.9A (DC) |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para CDBGBSC201200-G
Latest Notícias
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga
- Vishay lança uma embalagem minilada de alto brilho azul e verde puro LED
- Ansonmei lançou um sensor de posição indutiva para o mercado industrial e de transporte
- Ruisa inicia a antiga fábrica para aumentar o dispositivo de energia, o terremoto afeta a saída de DRAM leve
- O microchip permite a capacidade de produção do TSMC e aumenta os aumentos de preços
- Ruisa lançou a nova série RA0 Ultra -Low Power Entry -Lvel MCU
- Melexis lança um chip de comutação indutor integrado completo
- O X-FAB apresenta a tecnologia de iluminação do sensor de imagem para aprimorar o desempenho do sensor CMOS
- A grande fábrica de chips foi afetada pelo terremoto: o TSMC parou de funcionar com urgência, exacerbando o suprimento de GPU em falta?
- Nand Flash Memory continua, McU Destocking Bottom está certo
- Sob a saída da IA Air, os dois principais gigantes do Chip são "não fortes": esmagar o dinheiro para quebrar o jogo, apostar em 2025 batalhas de equipe