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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Arrays > CDBGBSC201200-G
CDBGBSC201200-G
Artikelnummer:
CDBGBSC201200-G
Hersteller:
Comchip Technology
Beschreibung:
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
40588 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
CDBGBSC201200-G.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:1.8V @ 10A
Spannung - Sperr (Vr) (max):1200V
Supplier Device-Gehäuse:TO-247
Geschwindigkeit:No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):0ns
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Betriebstemperatur - Anschluss:-55°C ~ 175°C
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp:Silicon Carbide Schottky
Diodenkonfiguration:1 Pair Common Cathode
detaillierte Beschreibung:Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 25.9A (DC) Through Hole TO-247-3
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:100µA @ 1200V
Strom - Richt (Io) (pro Diode):25.9A (DC)
Email:[email protected]

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In Verbindung stehende Teile für CDBGBSC201200-G

Image Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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