Το CDBGBSC201200-G είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την CDBGBSC201200-G, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το CDBGBSC201200-G μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε CDBGBSC201200-G με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
CDBGBSC201200-G
- Αριθμός εξαρτήματος:
- CDBGBSC201200-G
- Κατασκευαστής:
- Comchip Technology
- Περιγραφή:
- DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 40588 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- CDBGBSC201200-G.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.8V @ 10A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 1200V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-247 |
| Ταχύτητα: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 0ns |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-247-3 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -55°C ~ 175°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 16 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Silicon Carbide Schottky |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 1 Pair Common Cathode |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 25.9A (DC) Through Hole TO-247-3 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 100µA @ 1200V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 25.9A (DC) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για CDBGBSC201200-G
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
CDBHD120L-G | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 20V 1A TO269AA | Έρευνα |
 |
CDBHD2100-G | Comchip Technology | DIODE BRIDGE 2A 100V TO-269AA | Έρευνα |
 |
CDBFR42 | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 1005 | Έρευνα |
|
CDBFR0520 | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA 1005 | Έρευνα |
|
CDBFR70 | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 70V 70MA 1005 | Έρευνα |
|
CDBHD140L-G | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 1A 40V TO-269AA | Έρευνα |
|
CDBFR40 | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA 1005 | Έρευνα |
|
CDBHD160L-G | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 1A 60V TO-269AA | Έρευνα |
|
CDBFR0540 | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA 1005 | Έρευνα |
|
CDBFR54 | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 1005 | Έρευνα |
|
CDBGBSC101200-G | Comchip Technology | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER | Έρευνα |
 |
CDBH3-54S-G | Comchip Technology | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT523 | Έρευνα |
|
CDBHD240-G | Comchip Technology | DIODE BRIDGE 2A 40V TO-269AA | Έρευνα |
|
CDBHD1100L-G | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 1A 100V TO-269AA | Έρευνα |
|
CDBFR0520L | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA 1005 | Έρευνα |
 |
CDBH38D18NP-R24MC-PR | Sumida Corporation | FIXED INDUCTOR SHIELDED | Έρευνα |
|
CDBFR43 | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 1005 | Έρευνα |
|
CDBH3-54C-G | Comchip Technology | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT523 | Έρευνα |
|
CDBGBSC20650-G | Comchip Technology | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER | Έρευνα |
|
CDBFR0340 | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 40V 350MA 1005 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS