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CDBGBSC201200-G
- Modello di prodotti:
- CDBGBSC201200-G
- fabbricante:
- Comchip Technology
- Descrizione:
- DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 40588 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- CDBGBSC201200-G.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.8V @ 10A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 1200V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 |
| Velocità: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 0ns |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Configurazione diodo: | 1 Pair Common Cathode |
| Descrizione dettagliata: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 25.9A (DC) Through Hole TO-247-3 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 100µA @ 1200V |
| Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo): | 25.9A (DC) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per CDBGBSC201200-G
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