ULN2803AFWG,C,EL jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ULN2803AFWG,C,EL, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ULN2803AFWG,C,EL przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ULN2803AFWG,C,EL z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ULN2803AFWG,C,EL
- Part Number:
- ULN2803AFWG,C,EL
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 22020 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ULN2803AFWG,C,EL.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 50V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| Typ tranzystora: | 8 NPN Darlington |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 18-SOL |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 1.31W |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Inne nazwy: | ULN2803AFWG(5ELMCT ULN2803AFWG(5ELMCT-ND ULN2803AFWG(CELHACT ULN2803AFWG(CELHACT-ND ULN2803AFWG(OELMCT ULN2803AFWG(OELMCT-ND ULN2803AFWG5ELMCT ULN2803AFWG5ELMCT-ND ULN2803AFWGCELCT |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość - Transition: | - |
| szczegółowy opis: | Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.31W Surface Mount 18-SOL |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 350mA, 2V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | - |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 500mA |
| Podstawowy numer części: | ULN280*A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ULN2803AFWG,C,EL
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU