ULN2803AFWG,C,EL
Modelo do Produto:
ULN2803AFWG,C,EL
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
22020 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
ULN2803AFWG,C,EL.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:1.6V @ 500µA, 350mA
Tipo transistor:8 NPN Darlington
Embalagem do dispositivo fornecedor:18-SOL
Série:-
Power - Max:1.31W
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Outros nomes:ULN2803AFWG(5ELMCT
ULN2803AFWG(5ELMCT-ND
ULN2803AFWG(CELHACT
ULN2803AFWG(CELHACT-ND
ULN2803AFWG(OELMCT
ULN2803AFWG(OELMCT-ND
ULN2803AFWG5ELMCT
ULN2803AFWG5ELMCT-ND
ULN2803AFWGCELCT
Temperatura de operação:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:-
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.31W Surface Mount 18-SOL
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:1000 @ 350mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max):-
Atual - Collector (Ic) (Max):500mA
Número da peça base:ULN280*A
Email:[email protected]

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