ULN2803AFWG,C,EL
Modello di prodotti:
ULN2803AFWG,C,EL
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
22020 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
ULN2803AFWG,C,EL.pdf

introduzione

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Specifiche

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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:1.6V @ 500µA, 350mA
Tipo transistor:8 NPN Darlington
Contenitore dispositivo fornitore:18-SOL
Serie:-
Potenza - Max:1.31W
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Altri nomi:ULN2803AFWG(5ELMCT
ULN2803AFWG(5ELMCT-ND
ULN2803AFWG(CELHACT
ULN2803AFWG(CELHACT-ND
ULN2803AFWG(OELMCT
ULN2803AFWG(OELMCT-ND
ULN2803AFWG5ELMCT
ULN2803AFWG5ELMCT-ND
ULN2803AFWGCELCT
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:-
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.31W Surface Mount 18-SOL
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:1000 @ 350mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max):-
Corrente - collettore (Ic) (max):500mA
Numero di parte base:ULN280*A
Email:[email protected]

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