TNP10SA1R00FE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TNP10SA1R00FE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TNP10SA1R00FE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TNP10SA1R00FE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TNP10SA1R00FE
- Part Number:
- TNP10SA1R00FE
- Producent:
- Ohmite
- Opis:
- RES 1 OHM 10W 1% TO126
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 26376 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TNP10SA1R00FE.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±1% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±100ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-126 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.335" L x 0.122" W (8.50mm x 3.10mm) |
| Seria: | TNP10 |
| Tryb panel: | 1 Ohms |
| Moc (W): | 10W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-126-2 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 155°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 11 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.598" (15.19mm) |
| cechy: | Moisture Resistant, Non-Inductive |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 1 Ohms ±1% 10W Through Hole Resistor TO-126-2 Moisture Resistant, Non-Inductive Thin Film |
| Kompozycja: | Thin Film |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TNP10SA1R00FE
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia