TNP10SA1R00FE متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TNP10SA1R00FE، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TNP10SA1R00FE عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TNP10SA1R00FE مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TNP10SA1R00FE
- رقم القطعة:
- TNP10SA1R00FE
- الصانع:
- Ohmite
- وصف:
- RES 1 OHM 10W 1% TO126
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 26376 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TNP10SA1R00FE.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±1% |
| معامل درجة الحرارة: | ±100ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-126 |
| حجم / البعد: | 0.335" L x 0.122" W (8.50mm x 3.10mm) |
| سلسلة: | TNP10 |
| وضع لوحة: | 1 Ohms |
| السلطة (واتس): | 10W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-126-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 155°C |
| عدد الإنهاء: | 2 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 11 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.598" (15.19mm) |
| الميزات: | Moisture Resistant, Non-Inductive |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 1 Ohms ±1% 10W Through Hole Resistor TO-126-2 Moisture Resistant, Non-Inductive Thin Film |
| تركيب: | Thin Film |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTNP10SA1R00FE
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
TNPU0603100KBZEN00 | Dale / Vishay | RES SMD 100K OHM 0.1% 1/10W 0603 | تحقيق |
 |
TNP10SC25R0FE | Ohmite | RES 25 OHM 10W 1% TO126 | تحقيق |
|
TNP10SA7R50FE | Ohmite | RES 7.5 OHM 10W 1% TO126 | تحقيق |
|
TNP10SC15R0FE | Ohmite | RES 15 OHM 10W 1% TO126 | تحقيق |
|
TNP10SC27R0FE | Ohmite | RES 27 OHM 10W 1% TO126 | تحقيق |
|
TNP10SC100RFE | Ohmite | RES 100 OHM 10W 1% TO126 | تحقيق |
|
TNP10SC50R0FE | Ohmite | RES 50 OHM 10W 1% TO126 | تحقيق |
|
TNP10SC20R0FE | Ohmite | RES 20 OHM 10W 1% TO126 | تحقيق |
|
TNP10SA3R00FE | Ohmite | RES 3 OHM 10W 1% TO126 | تحقيق |
|
TNP10SC12R0FE | Ohmite | RES 12 OHM 10W 1% TO126 | تحقيق |
|
TNP10SHR250JE | Ohmite | RES 0.25 OHM 10W 5% TO126 | تحقيق |
|
TNP10SA1R50FE | Ohmite | RES 1.5 OHM 10W 1% TO126 | تحقيق |
|
TNP10SHR150JE | Ohmite | RES 0.15 OHM 10W 5% TO126 | تحقيق |
|
TNP10SC10R0FE | Ohmite | RES 10 OHM 10W 1% TO126 | تحقيق |
|
TNP10SHR330JE | Ohmite | RES 0.33 OHM 10W 5% TO126 | تحقيق |
|
TNPU0603100KAZEN00 | Dale / Vishay | RES SMD 100KOHM 0.05% 1/10W 0603 | تحقيق |
|
TNP10SC200RFE | Ohmite | RES 200 OHM 10W 1% TO126 | تحقيق |
|
TNP10SC1K00FE | Ohmite | RES 1K OHM 10W 1% TO126 | تحقيق |
|
TNP10SC560RFE | Ohmite | RES 560 OHM 10W 1% TO126 | تحقيق |
|
TNP10SC47R0FE | Ohmite | RES 47 OHM 10W 1% TO126 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل