Το TNP10SA1R00FE είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την TNP10SA1R00FE, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το TNP10SA1R00FE μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε TNP10SA1R00FE με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
TNP10SA1R00FE
- Αριθμός εξαρτήματος:
- TNP10SA1R00FE
- Κατασκευαστής:
- Ohmite
- Περιγραφή:
- RES 1 OHM 10W 1% TO126
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 26376 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- TNP10SA1R00FE.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Ανοχή: | ±1% |
| Συντελεστής θερμοκρασίας: | ±100ppm/°C |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-126 |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.335" L x 0.122" W (8.50mm x 3.10mm) |
| Σειρά: | TNP10 |
| Λειτουργία του πίνακα: | 1 Ohms |
| Ισχύς (Watts): | 10W |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-126-2 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 155°C |
| Αριθμός Απολύσεις: | 2 |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 11 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.598" (15.19mm) |
| Χαρακτηριστικά: | Moisture Resistant, Non-Inductive |
| Ποσοστό αποτυχίας: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 1 Ohms ±1% 10W Through Hole Resistor TO-126-2 Moisture Resistant, Non-Inductive Thin Film |
| Σύνθεση: | Thin Film |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για TNP10SA1R00FE
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
TNPU0603100KBZEN00 | Dale / Vishay | RES SMD 100K OHM 0.1% 1/10W 0603 | Έρευνα |
 |
TNP10SC25R0FE | Ohmite | RES 25 OHM 10W 1% TO126 | Έρευνα |
|
TNP10SA7R50FE | Ohmite | RES 7.5 OHM 10W 1% TO126 | Έρευνα |
|
TNP10SC15R0FE | Ohmite | RES 15 OHM 10W 1% TO126 | Έρευνα |
|
TNP10SC27R0FE | Ohmite | RES 27 OHM 10W 1% TO126 | Έρευνα |
|
TNP10SC100RFE | Ohmite | RES 100 OHM 10W 1% TO126 | Έρευνα |
|
TNP10SC50R0FE | Ohmite | RES 50 OHM 10W 1% TO126 | Έρευνα |
|
TNP10SC20R0FE | Ohmite | RES 20 OHM 10W 1% TO126 | Έρευνα |
|
TNP10SA3R00FE | Ohmite | RES 3 OHM 10W 1% TO126 | Έρευνα |
|
TNP10SC12R0FE | Ohmite | RES 12 OHM 10W 1% TO126 | Έρευνα |
|
TNP10SHR250JE | Ohmite | RES 0.25 OHM 10W 5% TO126 | Έρευνα |
|
TNP10SA1R50FE | Ohmite | RES 1.5 OHM 10W 1% TO126 | Έρευνα |
|
TNP10SHR150JE | Ohmite | RES 0.15 OHM 10W 5% TO126 | Έρευνα |
|
TNP10SC10R0FE | Ohmite | RES 10 OHM 10W 1% TO126 | Έρευνα |
|
TNP10SHR330JE | Ohmite | RES 0.33 OHM 10W 5% TO126 | Έρευνα |
|
TNPU0603100KAZEN00 | Dale / Vishay | RES SMD 100KOHM 0.05% 1/10W 0603 | Έρευνα |
|
TNP10SC200RFE | Ohmite | RES 200 OHM 10W 1% TO126 | Έρευνα |
|
TNP10SC1K00FE | Ohmite | RES 1K OHM 10W 1% TO126 | Έρευνα |
|
TNP10SC560RFE | Ohmite | RES 560 OHM 10W 1% TO126 | Έρευνα |
|
TNP10SC47R0FE | Ohmite | RES 47 OHM 10W 1% TO126 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο