SQJ958EP-T1_GE3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SQJ958EP-T1_GE3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SQJ958EP-T1_GE3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SQJ958EP-T1_GE3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SQJ958EP-T1_GE3
- Part Number:
- SQJ958EP-T1_GE3
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
- Wielkość zbiorów:
- 59235 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SQJ958EP-T1_GE3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 34.9 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Moc - Max: | 35W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 1075pF @ 30V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Cecha FET: | Standard |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 60V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A (Tc) 35W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SQJ958EP-T1_GE3
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS