SQJ958EP-T1_GE3
SQJ958EP-T1_GE3
Modello di prodotti:
SQJ958EP-T1_GE3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Quantità di magazzino:
59235 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
SQJ958EP-T1_GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® SO-8 Dual
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:34.9 mOhm @ 4.5A, 10V
Potenza - Max:35W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® SO-8 Dual
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1075pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A (Tc) 35W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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