SQJ958EP-T1_GE3 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para SQJ958EP-T1_GE3, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para SQJ958EP-T1_GE3 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre SQJ958EP-T1_GE3 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
SQJ958EP-T1_GE3
- Número de pieza:
- SQJ958EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descripción:
- MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
- Cantidad de stock:
- 59235 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SQJ958EP-T1_GE3.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 34.9 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Potencia - Max: | 35W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1075pF @ 30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A (Tc) 35W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SQJ958EP-T1_GE3
Latest Noticias
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga
- Vishay lanza el embalaje minido de alto brillo pequeño azul y verde puro LED
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios
- Ruisa lanzó la nueva serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lanza un chip de interruptor inductor integrado completo