SI8261ABC-C-IPR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SI8261ABC-C-IPR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SI8261ABC-C-IPR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SI8261ABC-C-IPR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SI8261ABC-C-IPR
- Part Number:
- SI8261ABC-C-IPR
- Producent:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Opis:
- DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57404 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SI8261ABC-C-IPR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 9.4 V ~ 30 V |
| Napięcie - Izolacja: | 3750Vrms |
| Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ): | 2.8V (Max) |
| Technologia: | Capacitive Coupling |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-DIP Gull Wing |
| Seria: | Automotive, AEC-Q100 |
| Czas narastania / spadku (typ): | 5.5ns, 8.5ns |
| Zniekształcenia szerokości impulsu (maks.): | 28ns |
| Opóźnienie propagacji tpLH / tpHL (maks.): | 60ns, 50ns |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SMD, Gull Wing |
| Inne nazwy: | 336-5205-2 SI8261ABC-C-IPR-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba kanałów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | 600mA Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-DIP Gull Wing |
| Obecny - Szczytowa wydajność: | 600mA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 400mA, 600mA |
| Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.): | 30mA |
| Współczynnik przejściowy (min): | 35kV/µs |
| Zatwierdzenia: | CQC, CSA, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SI8261ABC-C-IPR
Latest Aktualności
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku