SI8261ABC-C-IPR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SI8261ABC-C-IPR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SI8261ABC-C-IPR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SI8261ABC-C-IPR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SI8261ABC-C-IPR
- رقم القطعة:
- SI8261ABC-C-IPR
- الصانع:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- وصف:
- DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 57404 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SI8261ABC-C-IPR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 9.4 V ~ 30 V |
| الجهد - العزلة: | 3750Vrms |
| فولتاج - فوروارد (ف) (تيب): | 2.8V (Max) |
| تكنولوجيا: | Capacitive Coupling |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-DIP Gull Wing |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q100 |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 5.5ns, 8.5ns |
| نبض العرض تشويه (ماكس): | 28ns |
| الانتشار تأخير تبله / تفل (ماكس): | 60ns, 50ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SMD, Gull Wing |
| اسماء اخرى: | 336-5205-2 SI8261ABC-C-IPR-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد القنوات: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | 600mA Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-DIP Gull Wing |
| الحالي - الناتج الذروة: | 600mA |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 400mA, 600mA |
| الحالي - دس إلى الأمام (إذا) (ماكس): | 30mA |
| الوضع المشترك مناعة عابرة (دقيقة): | 35kV/µs |
| الموافقات: | CQC, CSA, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI8261ABC-C-IPR
Latest الأخبار
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق