SI8261ABC-C-IPR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ SI8261ABC-C-IPR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ SI8261ABC-C-IPR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SI8261ABC-C-IPR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
SI8261ABC-C-IPR
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SI8261ABC-C-IPR
- ผู้ผลิต:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- ลักษณะ:
- DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 57404 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- SI8261ABC-C-IPR.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 9.4 V ~ 30 V |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก: | 3750Vrms |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท): | 2.8V (Max) |
| เทคโนโลยี: | Capacitive Coupling |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-DIP Gull Wing |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q100 |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท): | 5.5ns, 8.5ns |
| การบิดเบือนความกว้างของพัลส์ (สูงสุด): | 28ns |
| ความล่าช้าในการกระจาย tpLH / tpHL (สูงสุด): | 60ns, 50ns |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-SMD, Gull Wing |
| ชื่ออื่น: | 336-5205-2 SI8261ABC-C-IPR-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| จำนวนช่อง: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 6 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 600mA Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-DIP Gull Wing |
| ปัจจุบัน - ยอดส่งออก: | 600mA |
| เอาท์พุทสูง, ต่ำ - ปัจจุบัน: | 400mA, 600mA |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด): | 30mA |
| ภูมิคุ้มกันอ่อนแอโหมดทั่วไป (ต่ำสุด): | 35kV/µs |
| ได้รับการอนุมัติ: | CQC, CSA, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SI8261ABC-C-IPR
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง
- ภายใต้ AI Air Outlet ยักษ์ใหญ่ชิปสองตัวคือ "ไม่แข็งแกร่ง": ทุบเงินเพื่อทำลายเกมเดิมพันในการต่อสู้ทีม 2025