PMEG2005AEAF jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PMEG2005AEAF, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PMEG2005AEAF przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PMEG2005AEAF z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PMEG2005AEAF
- Part Number:
- PMEG2005AEAF
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD323
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41696 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PMEG2005AEAF.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 390mV @ 500mA |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 20V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOD-323 |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SC-76, SOD-323 |
| Inne nazwy: | 934057738135 |
| Temperatura pracy - złącze: | 150°C (Max) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Schottky |
| szczegółowy opis: | Diode Schottky 20V 500mA (DC) Surface Mount SOD-323 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 200µA @ 20V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 500mA (DC) |
| Pojemność @ VR F: | 66pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PMEG2005AEAF
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS