PMEG2005AEAF พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ PMEG2005AEAF เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ PMEG2005AEAF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ PMEG2005AEAF ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
PMEG2005AEAF
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- PMEG2005AEAF
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
- ลักษณะ:
- DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD323
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 41696 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- PMEG2005AEAF.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 390mV @ 500mA |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 20V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SOD-323 |
| ความเร็ว: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SC-76, SOD-323 |
| ชื่ออื่น: | 934057738135 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | 150°C (Max) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทไดโอด: | Schottky |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Diode Schottky 20V 500mA (DC) Surface Mount SOD-323 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 200µA @ 20V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 500mA (DC) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | 66pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ PMEG2005AEAF
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
PMEG2005EH,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123F | การสอบสวน |
 |
PMEG2005EB,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD523 | การสอบสวน |
 |
PMEG2002AESFBYL | Nexperia | DIODE SCHTKY 20V 200MA DSN0603B2 | การสอบสวน |
 |
PMEG2005AEV,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOT666 | การสอบสวน |
|
PMEG1020EV,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 10V 2A SOT666 | การสอบสวน |
 |
PMEG1020EJ,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 10V 2A SOD323F | การสอบสวน |
 |
PMEG2005EGWX | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123 | การสอบสวน |
 |
PMEG2005AEL,315 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD882 | การสอบสวน |
|
PMEG2005EGWJ | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123 | การสอบสวน |
|
PMEG2002AESF,315 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 20V 200MA 2DSN | การสอบสวน |
 |
PMEG2005AEA,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD323 | การสอบสวน |
|
PMEG2002ESF,315 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 20V 200MA 2DSN | การสอบสวน |
|
PMEG2005AEA/DG,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD323 | การสอบสวน |
|
PMEG1201AESFYL | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 12V 0.1A SOD962 | การสอบสวน |
 |
PMEG2005AELD,315 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD882D | การสอบสวน |
 |
PMEG2005CT,215 | Nexperia | DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V SOT23 | การสอบสวน |
|
PMEG1030EJ,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 10V 3A SOD323F | การสอบสวน |
|
PMEG2005BELD,315 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD882 | การสอบสวน |
|
PMEG2005AESFYL | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 20V 0.5A SOD962 | การสอบสวน |
|
PMEG1030EH,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 10V 3A SOD123F | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS