PMEG2002AESFBYL jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla PMEG2002AESFBYL, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla PMEG2002AESFBYL przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup PMEG2002AESFBYL z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
PMEG2002AESFBYL
- Part Number:
- PMEG2002AESFBYL
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- DIODE SCHTKY 20V 200MA DSN0603B2
- Wielkość zbiorów:
- 42610 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- PMEG2002AESFBYL.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 375mV @ 200mA |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 20V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DSN0603B-2 |
| Prędkość: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 1.9ns |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 0201 (0603 Metric) |
| Inne nazwy: | 1727-7496-1 |
| Temperatura pracy - złącze: | 125°C (Max) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ diody: | Schottky |
| szczegółowy opis: | Diode Schottky 20V 200mA Surface Mount DSN0603B-2 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 45µA @ 20V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 200mA |
| Pojemność @ VR F: | 25pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PMEG2002AESFBYL
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025