PMEG2002AESFBYL متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل PMEG2002AESFBYL، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل PMEG2002AESFBYL عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء PMEG2002AESFBYL مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
PMEG2002AESFBYL
- رقم القطعة:
- PMEG2002AESFBYL
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- DIODE SCHTKY 20V 200MA DSN0603B2
- كمية المخزون:
- 42610 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- PMEG2002AESFBYL.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 375mV @ 200mA |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 20V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DSN0603B-2 |
| سرعة: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 1.9ns |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 0201 (0603 Metric) |
| اسماء اخرى: | 1727-7496-1 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 125°C (Max) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| نوع الصمام الثنائي: | Schottky |
| وصف تفصيلي: | Diode Schottky 20V 200mA Surface Mount DSN0603B-2 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 45µA @ 20V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 200mA |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 25pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPMEG2002AESFBYL
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PMEG2005AEAF | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD323 | تحقيق |
 |
PMEG2005AEV,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOT666 | تحقيق |
 |
PMEG2005BELD,315 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD882 | تحقيق |
 |
PMEG2002ESF,315 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 20V 200MA 2DSN | تحقيق |
|
PMEG2005AEL,315 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD882 | تحقيق |
 |
PMEG2005AELD,315 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD882D | تحقيق |
 |
PMEG1020EJ,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 10V 2A SOD323F | تحقيق |
 |
PMEG1030EH,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 10V 3A SOD123F | تحقيق |
 |
PMEG100V100ELPDZ | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 100V 10A CFP15 | تحقيق |
|
PMEG1020EV,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 10V 2A SOT666 | تحقيق |
|
PMEG1201AESFYL | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 12V 0.1A SOD962 | تحقيق |
|
PMEG1030EJ,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 10V 3A SOD323F | تحقيق |
|
PMEG2005AESFYL | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 20V 0.5A SOD962 | تحقيق |
|
PMEG1020EH,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 10V 2A SOD123F | تحقيق |
 |
PMEG2005AEA/DG,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD323 | تحقيق |
|
PMEG2005AEA,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD323 | تحقيق |
|
PMEG1020EA,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 10V 2A SOD323 | تحقيق |
 |
PMEG2005CT,215 | Nexperia | DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V SOT23 | تحقيق |
|
PMEG2002AESF,315 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 20V 200MA 2DSN | تحقيق |
|
PMEG100V100ELPDAZ | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 100V 10A CFP15 | تحقيق |
Latest الأخبار
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق
- تحت منفذ AI Air ، فإن عمالقة الرقائق الرئيسية "ليست قوية": تحطيم الأموال لكسر اللعبة ، رهان في معارك فريق 2025