NE3512S02-T1C-A jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NE3512S02-T1C-A, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NE3512S02-T1C-A przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NE3512S02-T1C-A z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NE3512S02-T1C-A
- Part Number:
- NE3512S02-T1C-A
- Producent:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Opis:
- HJ-FET NCH 13.5DB S02
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 51618 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.NE3512S02-T1C-A.pdf2.NE3512S02-T1C-A.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 2V |
| Napięcie - znamionowe: | 4V |
| Typ tranzystora: | HFET |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | S02 |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 4-SMD, Flat Leads |
| Inne nazwy: | NE3512S02-T1C-ACT |
| noise Figure: | 0.35dB |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 13.5dB |
| Częstotliwość: | 12GHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02 |
| Aktualna ocena: | 70mA |
| Obecny - Test: | 10mA |
| Podstawowy numer części: | NE3512 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NE3512S02-T1C-A
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS