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NE3512S02-T1C-A
- Modèle de produit:
- NE3512S02-T1C-A
- Fabricant:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- La description:
- HJ-FET NCH 13.5DB S02
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 51618 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.NE3512S02-T1C-A.pdf2.NE3512S02-T1C-A.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Test: | 2V |
| Tension - Nominale: | 4V |
| Transistor Type: | HFET |
| Package composant fournisseur: | S02 |
| Séries: | - |
| Alimentation - sortie: | - |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | 4-SMD, Flat Leads |
| Autres noms: | NE3512S02-T1C-ACT |
| Noise Figure: | 0.35dB |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gain: | 13.5dB |
| La fréquence: | 12GHz |
| Description détaillée: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02 |
| Note actuelle: | 70mA |
| Courant - Test: | 10mA |
| Numéro de pièce de base: | NE3512 |
| Email: | [email protected] |
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