NE3508M04-A jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NE3508M04-A, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NE3508M04-A przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NE3508M04-A z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NE3508M04-A
- Part Number:
- NE3508M04-A
- Producent:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Opis:
- FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 56693 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.NE3508M04-A.pdf2.NE3508M04-A.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 2V |
| Napięcie - znamionowe: | 4V |
| Typ tranzystora: | HFET |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | F4TSMM, M04 |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | 18dBm |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | SOT-343F |
| Inne nazwy: | NE3508M04A |
| noise Figure: | 0.45dB |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 14dB |
| Częstotliwość: | 2GHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 2GHz 14dB 18dBm F4TSMM, M04 |
| Aktualna ocena: | 120mA |
| Obecny - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NE3508M04-A
Latest Aktualności
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku