MV2N4860 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MV2N4860, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MV2N4860 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MV2N4860 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MV2N4860
- Part Number:
- MV2N4860
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- N CHANNEL JFET
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 52705 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MV2N4860.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Odcięcie (VGS off) @ Id: | 6V @ 500pA |
| Napięcie - Podział (V (BR) GSS): | 30V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-18 |
| Seria: | Military, MIL-PRF-19500/385 |
| Resistance - RDS (on): | 40 Ohms |
| Moc - Max: | 360mW |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 18pF @ 10V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 30V |
| szczegółowy opis: | JFET N-Channel 30V 360mW Through Hole TO-18 |
| Obecny - spustowy (IDS) @ Vds (Vgs = 0): | 100mA @ 15V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MV2N4860
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS