MV2N4860 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro MV2N4860, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro MV2N4860 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si MV2N4860 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
MV2N4860
- Part Number:
- MV2N4860
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- N CHANNEL JFET
- Vedoucí volný stav:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- Množství zásob:
- 52705 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- MV2N4860.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Cutoff (VGS off) 'Id: | 6V @ 500pA |
| Napětí - Breakdown (V (BR) GSS): | 30V |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-18 |
| Série: | Military, MIL-PRF-19500/385 |
| Odolnost - RDS (On): | 40 Ohms |
| Power - Max: | 360mW |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Provozní teplota: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 18pF @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V |
| Detailní popis: | JFET N-Channel 30V 360mW Through Hole TO-18 |
| Proud - Drain (IDS) @ VDS (Vgs = 0): | 100mA @ 15V |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro MV2N4860
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
MV2N4858 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Dotaz |
 |
MV2109RLRAG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | DIODE TUNING 30V 33PF TO92-2 | Dotaz |
|
MV2N4392UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Dotaz |
|
MV2N4092 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Dotaz |
|
MV2N4856 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Dotaz |
|
MV2N4392 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Dotaz |
|
MV2N4859 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Dotaz |
|
MV2N4859UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Dotaz |
|
MV2N4857 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Dotaz |
|
MV2N4860UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Dotaz |
|
MV2N4391 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Dotaz |
|
MV2N4858UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Dotaz |
|
MV2N4391UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Dotaz |
|
MV2N5116 | Microsemi | P CHANNEL JFET | Dotaz |
|
MV2N4861 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Dotaz |
|
MV2N4393UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Dotaz |
|
MV2N4857UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Dotaz |
|
MV2N5114 | Microsemi | P CHANNEL JFET | Dotaz |
|
MV2N4856UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | Dotaz |
|
MV2N4393 | Microsemi | N CHANNEL JFET | Dotaz |
Latest News
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS