MV2N4860 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MV2N4860 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MV2N4860 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MV2N4860 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MV2N4860
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MV2N4860
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- N CHANNEL JFET
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 52705 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- MV2N4860.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ลัด (VGS ออก) @ Id: | 6V @ 500pA |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย (V (BR) GSS): | 30V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-18 |
| ชุด: | Military, MIL-PRF-19500/385 |
| ต้านทาน - RDS (on): | 40 Ohms |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 360mW |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 18pF @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 30V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | JFET N-Channel 30V 360mW Through Hole TO-18 |
| ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0): | 100mA @ 15V |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MV2N4860
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
MV2N4858 | Microsemi | N CHANNEL JFET | การสอบสวน |
 |
MV2109RLRAG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | DIODE TUNING 30V 33PF TO92-2 | การสอบสวน |
|
MV2N4392UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | การสอบสวน |
|
MV2N4092 | Microsemi | N CHANNEL JFET | การสอบสวน |
|
MV2N4856 | Microsemi | N CHANNEL JFET | การสอบสวน |
|
MV2N4392 | Microsemi | N CHANNEL JFET | การสอบสวน |
|
MV2N4859 | Microsemi | N CHANNEL JFET | การสอบสวน |
|
MV2N4859UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | การสอบสวน |
|
MV2N4857 | Microsemi | N CHANNEL JFET | การสอบสวน |
|
MV2N4860UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | การสอบสวน |
|
MV2N4391 | Microsemi | N CHANNEL JFET | การสอบสวน |
|
MV2N4858UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | การสอบสวน |
|
MV2N4391UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | การสอบสวน |
|
MV2N5116 | Microsemi | P CHANNEL JFET | การสอบสวน |
|
MV2N4861 | Microsemi | N CHANNEL JFET | การสอบสวน |
|
MV2N4393UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | การสอบสวน |
|
MV2N4857UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | การสอบสวน |
|
MV2N5114 | Microsemi | P CHANNEL JFET | การสอบสวน |
|
MV2N4856UB | Microsemi | N CHANNEL JFET | การสอบสวน |
|
MV2N4393 | Microsemi | N CHANNEL JFET | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?