LPC43S30FET256E jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LPC43S30FET256E, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LPC43S30FET256E przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LPC43S30FET256E z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LPC43S30FET256E
- Part Number:
- LPC43S30FET256E
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC MCU 32BIT ROMLESS 256LBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 44708 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LPC43S30FET256E.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 2.2 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 256-LBGA (17x17) |
| Prędkość: | 204MHz |
| Seria: | LPC43xx |
| Wielkość pamięci RAM: | 264K x 8 |
| Typ pamięci programu: | ROMless |
| Rozmiar pamięci programu: | - |
| Peryferia: | Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, Motor Control PWM, POR, PWM, WDT |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 256-LBGA |
| Inne nazwy: | 568-11702 935299908551 LPC43S30FET256E-ND |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Liczba I / O: | 164 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | ARM® Cortex®-M4/M0 LPC43xx Microcontroller IC 32-Bit Dual-Core 204MHz ROMless 256-LBGA (17x17) |
| Konwertery danych: | A/D 8x10b; D/A 1x10b |
| rdzeń Rozmiar: | 32-Bit Dual-Core |
| Core Processor: | ARM® Cortex®-M4/M0 |
| Łączność: | CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, IrDA, Microwire, SD, SPI, SSI, SSP, UART/USART, USB, USB OTG |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LPC43S30FET256E
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia