LPC43S30FET256E je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro LPC43S30FET256E, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro LPC43S30FET256E e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si LPC43S30FET256E s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
LPC43S30FET256E
- Part Number:
- LPC43S30FET256E
- Výrobce:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Popis:
- IC MCU 32BIT ROMLESS 256LBGA
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 44708 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- LPC43S30FET256E.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Supply (Vcc / Vdd): | 2.2 V ~ 3.6 V |
| Dodavatel zařízení Package: | 256-LBGA (17x17) |
| Rychlost: | 204MHz |
| Série: | LPC43xx |
| RAM Size: | 264K x 8 |
| Typ programu Paměť: | ROMless |
| Program Memory Size: | - |
| Periferní zařízení: | Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, Motor Control PWM, POR, PWM, WDT |
| Obal: | Tray |
| Paket / krabice: | 256-LBGA |
| Ostatní jména: | 568-11702 935299908551 LPC43S30FET256E-ND |
| oscilátor Type: | Internal |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Počet I / O: | 164 |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 12 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| EEPROM Velikost: | - |
| Detailní popis: | ARM® Cortex®-M4/M0 LPC43xx Microcontroller IC 32-Bit Dual-Core 204MHz ROMless 256-LBGA (17x17) |
| datové převodníky: | A/D 8x10b; D/A 1x10b |
| jádro Velikost: | 32-Bit Dual-Core |
| core: | ARM® Cortex®-M4/M0 |
| Připojení: | CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, IrDA, Microwire, SD, SPI, SSI, SSP, UART/USART, USB, USB OTG |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro LPC43S30FET256E
Latest News
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení