IXFN70N120SK jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IXFN70N120SK, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IXFN70N120SK przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IXFN70N120SK z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IXFN70N120SK
- Part Number:
- IXFN70N120SK
- Producent:
- IXYS Corporation
- Opis:
- MOSFET N-CH
- Wielkość zbiorów:
- 30575 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IXFN70N120SK.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 15mA |
| Vgs (maks.): | +20V, -5V |
| Technologia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-227B |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 34 mOhm @ 50A, 20V |
| Strata mocy (max): | - |
| Package / Case: | SOT-227-4, miniBLOC |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 32 Weeks |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 2790pF @ 1000V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 161nC @ 20V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 20V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 1200V |
| szczegółowy opis: | N-Channel 1200V 68A (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 68A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IXFN70N120SK
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen