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IXFN70N120SK
IXFN70N120SK
Artikelnummer:
IXFN70N120SK
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
MOSFET N-CH
Bestandsmenge:
30575 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
IXFN70N120SK.pdf
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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 15mA
Vgs (Max):+20V, -5V
Technologie:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Supplier Device-Gehäuse:SOT-227B
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:34 mOhm @ 50A, 20V
Verlustleistung (max):-
Verpackung / Gehäuse:SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit:32 Weeks
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2790pF @ 1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:161nC @ 20V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):20V
Drain-Source-Spannung (Vdss):1200V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 1200V 68A (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:68A (Tc)
Email:[email protected]

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