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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFN70N120SK
IXFN70N120SK
IXFN70N120SK
Modèle de produit:
IXFN70N120SK
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH
Quantité en stock:
30575 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXFN70N120SK.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 15mA
Vgs (Max):+20V, -5V
La technologie:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Package composant fournisseur:SOT-227B
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:34 mOhm @ 50A, 20V
Dissipation de puissance (max):-
Package / Boîte:SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2790pF @ 1000V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:161nC @ 20V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):20V
Tension drain-source (Vdss):1200V
Description détaillée:N-Channel 1200V 68A (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:68A (Tc)
Email:[email protected]

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