Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFN66N50Q2
IXFN66N50Q2
IXFN66N50Q2
Modèle de produit:
IXFN66N50Q2
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
43607 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXFN66N50Q2.pdf
Enquête

introduction

IXFN66N50Q2 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour IXFN66N50Q2, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour IXFN66N50Q2 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez IXFN66N50Q2 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 8mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SOT-227B
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:80 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max):735W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:6800pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:199nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):500V
Description détaillée:N-Channel 500V 66A (Tc) 735W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:66A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes IXFN66N50Q2

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
IXFN60N60 Image IXFN60N60 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B Enquête
IXFN62N80Q3 Image IXFN62N80Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227 Enquête
IXFN73N30Q Image IXFN73N30Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B Enquête
IXFN72N55Q2 Image IXFN72N55Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B Enquête
IXFN60N80P Image IXFN60N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B Enquête
IXFN73N30 Image IXFN73N30 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B Enquête
IXFN70N60Q2 Image IXFN70N60Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B Enquête
IXFN64N60P Image IXFN64N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 Enquête
IXFN80N50P Image IXFN80N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227 Enquête
IXFN64N50PD3 Image IXFN64N50PD3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B Enquête
IXFN80N50 Image IXFN80N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B Enquête
IXFN64N50P Image IXFN64N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227 Enquête
IXFN80N50Q2 Image IXFN80N50Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B Enquête
IXFN55N50 Image IXFN55N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B Enquête
IXFN80N48 Image IXFN80N48 IXYS Corporation MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B Enquête
IXFN64N50PD2 Image IXFN64N50PD2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B Enquête
IXFN66N85X Image IXFN66N85X IXYS Corporation 850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS Enquête
IXFN56N90P Image IXFN56N90P IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B Enquête
IXFN70N120SK Image IXFN70N120SK IXYS Corporation MOSFET N-CH Enquête
IXFN55N50F Image IXFN55N50F IXYS RF MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B Enquête

Latest Nouvelles