ESMH100VSN273MQ35T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ESMH100VSN273MQ35T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ESMH100VSN273MQ35T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ESMH100VSN273MQ35T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ESMH100VSN273MQ35T
- Part Number:
- ESMH100VSN273MQ35T
- Producent:
- Nippon Chemi-Con
- Opis:
- CAP ALUM 27000UF 20% 10V SNAP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30746 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ESMH100VSN273MQ35T.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | 27000µF |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | 0.394" (10.00mm) |
| Rozmiar / Wymiar: | 1.000" Dia (25.40mm) |
| Seria: | SMH |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Ripple Current - niska częstotliwość: | General Purpose |
| tętnienia prądu: | Polar |
| Polaryzacja: | Radial, Can - Snap-In |
| Pitch - Złącze: | 10V |
| Package / Case: | - |
| Inne nazwy: | 565-2596 ESMH100VSN273MQ35N |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Ilość Kondensatory: | 3.98A @ 120Hz |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 15 Weeks |
| Numer części producenta: | ESMH100VSN273MQ35T |
| Żywotność @ Temp.: | 31 mOhm @ 120Hz |
| Impedancja: | - |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 1.378" (35.00mm) |
| Rozszerzony opis: | 27000µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 31 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±20% |
| Opis: | CAP ALUM 27000UF 20% 10V SNAP |
| Aplikacje: | 2000 Hrs @ 85°C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ESMH100VSN273MQ35T
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia