Το ESMH100VSN273MQ35T είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την ESMH100VSN273MQ35T, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το ESMH100VSN273MQ35T μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε ESMH100VSN273MQ35T με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
ESMH100VSN273MQ35T
- Αριθμός εξαρτήματος:
- ESMH100VSN273MQ35T
- Κατασκευαστής:
- Nippon Chemi-Con
- Περιγραφή:
- CAP ALUM 27000UF 20% 10V SNAP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 30746 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- ESMH100VSN273MQ35T.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Ανοχή: | 27000µF |
| Surface Mount Οικόπεδο: | 0.394" (10.00mm) |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 1.000" Dia (25.40mm) |
| Σειρά: | SMH |
| Κατάσταση RoHS: | Bulk |
| Ρεύμα ρεύματος - Χαμηλή συχνότητα: | General Purpose |
| Ripple Current: | Polar |
| Πόλωση: | Radial, Can - Snap-In |
| Pitch - Σύνδεσμος: | 10V |
| Συσκευασία / υπόθεση: | - |
| Άλλα ονόματα: | 565-2596 ESMH100VSN273MQ35N |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C |
| Αριθμός των πυκνωτών: | 3.98A @ 120Hz |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 15 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | ESMH100VSN273MQ35T |
| Ισόβια @ Temp.: | 31 mOhm @ 120Hz |
| Αντίσταση: | - |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 1.378" (35.00mm) |
| Διευρυμένη περιγραφή: | 27000µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 31 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | ±20% |
| Περιγραφή: | CAP ALUM 27000UF 20% 10V SNAP |
| εφαρμογές: | 2000 Hrs @ 85°C |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για ESMH100VSN273MQ35T
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο