ESMH100VSN273MQ35T теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для ESMH100VSN273MQ35T, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для ESMH100VSN273MQ35T по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить ESMH100VSN273MQ35T с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
ESMH100VSN273MQ35T
- Тип продуктов:
- ESMH100VSN273MQ35T
- производитель:
- Nippon Chemi-Con
- Описание:
- CAP ALUM 27000UF 20% 10V SNAP
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 30746 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- ESMH100VSN273MQ35T.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Толерантность: | 27000µF |
| Surface Mount Размер земли: | 0.394" (10.00mm) |
| Размер / Dimension: | 1.000" Dia (25.40mm) |
| Серии: | SMH |
| Статус RoHS: | Bulk |
| Пульсирующий ток - Низкая частота: | General Purpose |
| Пульсирующий ток: | Polar |
| поляризация: | Radial, Can - Snap-In |
| Pitch - Разъем: | 10V |
| Упаковка /: | - |
| Другие названия: | 565-2596 ESMH100VSN273MQ35N |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 85°C |
| Количество конденсаторов: | 3.98A @ 120Hz |
| Тип установки: | Through Hole |
| Стандартное время изготовления: | 15 Weeks |
| Номер детали производителя: | ESMH100VSN273MQ35T |
| Срок службы @ Temp.: | 31 mOhm @ 120Hz |
| полное сопротивление: | - |
| Высота - Сидящая (Макс): | 1.378" (35.00mm) |
| Расширенное описание: | 27000µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 31 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C |
| ESR (эквивалентное последовательное сопротивление): | ±20% |
| Описание: | CAP ALUM 27000UF 20% 10V SNAP |
| Приложения: | 2000 Hrs @ 85°C |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для ESMH100VSN273MQ35T
Latest Новости
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки