CIG22B2R2MNE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CIG22B2R2MNE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CIG22B2R2MNE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CIG22B2R2MNE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CIG22B2R2MNE
- Part Number:
- CIG22B2R2MNE
- Producent:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- Opis:
- FIXED IND 2.2UH 1.1A 183 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 50814 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.CIG22B2R2MNE.pdf2.CIG22B2R2MNE.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | 1008 (2520 Metric) |
| Stosowanie: | Shielded |
| Rodzaj: | Multilayer |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Seria: | CIG22B |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | 1008 (2520 Metric) |
| Inne nazwy: | 1276-6217-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Numer części producenta: | CIG22B2R2MNE |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.032" (0.80mm) |
| typ sprzętu: | 2.2µH |
| Częstotliwość - Test: | - |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 183 mOhm |
| Rozszerzony opis: | 2.2µH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 183 mOhm 1008 (2520 Metric) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±20% |
| Średnica - ramię: | - |
| Opis: | FIXED IND 2.2UH 1.1A 183 MOHM |
| Czas zwłoki: | 1MHz |
| DC Resistance (DCR): | 1.2A |
| Aktualna ocena: | 1.1A |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CIG22B2R2MNE
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia