CIG22B2R2MNEは今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはCIG22B2R2MNEのストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
CIG22B2R2MNEをLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
CIG22B2R2MNE
- 部品型番:
- CIG22B2R2MNE
- 説明:
- FIXED IND 2.2UH 1.1A 183 MOHM
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 50814 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 電圧 - ブレークダウン: | 1008 (2520 Metric) |
| 使用法: | Shielded |
| タイプ: | Multilayer |
| サイズ/寸法: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| シリーズ: | CIG22B |
| RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
| 評価: | - |
| 偏光: | 1008 (2520 Metric) |
| 他の名前: | 1276-6217-2 |
| 運転温度: | -40°C ~ 125°C |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 12 Weeks |
| 製造元の部品番号: | CIG22B2R2MNE |
| 高さ - 着席（最大）: | 0.032" (0.80mm) |
| ハードウェアの種類: | 2.2µH |
| 周波数 - テスト: | - |
| 周波数 - 自己共振: | 183 mOhm |
| 拡張された説明: | 2.2µH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 183 mOhm 1008 (2520 Metric) |
| ESR（等価直列抵抗）: | ±20% |
| 直径 - ショルダー: | - |
| 説明: | FIXED IND 2.2UH 1.1A 183 MOHM |
| 遅延時間: | 1MHz |
| 直流抵抗（DCR）: | 1.2A |
| 定格電流: | 1.1A |
| 電流 - 飽和: | - |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのCIG22B2R2MNE
最新ニュース
- HBMの生産能力は除外され、DRAMメモリは今年の後半に不足している可能性があります
- 壁の創設者は終了し、HBMを終了し、ドラムを再び上昇させます
- AI携帯電話とPCの拡張需要、グローバル半導体製造業界の改善
- ネットワークセキュリティイメージセンサーのためのADAおよびキャビン監視システムのニーズを理解する
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます
- Moels Micro Electronicsは、ビジネス領域を拡大するために、中国の台湾に新しいオフィスを設立しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量