CIG22B2R2MNE متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CIG22B2R2MNE، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CIG22B2R2MNE عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CIG22B2R2MNE مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CIG22B2R2MNE
- رقم القطعة:
- CIG22B2R2MNE
- وصف:
- FIXED IND 2.2UH 1.1A 183 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 50814 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.CIG22B2R2MNE.pdf2.CIG22B2R2MNE.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - انهيار: | 1008 (2520 Metric) |
| استعمال: | Shielded |
| اكتب: | Multilayer |
| حجم / البعد: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| سلسلة: | CIG22B |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | 1008 (2520 Metric) |
| اسماء اخرى: | 1276-6217-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | CIG22B2R2MNE |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.032" (0.80mm) |
| نوع الأجهزة: | 2.2µH |
| تردد - اختبار: | - |
| تردد - الذاتي الرنين: | 183 mOhm |
| وصف موسع: | 2.2µH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 183 mOhm 1008 (2520 Metric) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±20% |
| قطر - الكتف: | - |
| وصف: | FIXED IND 2.2UH 1.1A 183 MOHM |
| وقت التأخير: | 1MHz |
| DC المقاومة (DCR): | 1.2A |
| التصويت الحالي: | 1.1A |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCIG22B2R2MNE
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل