AS0140AT2C00XUSM0-DRBR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla AS0140AT2C00XUSM0-DRBR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla AS0140AT2C00XUSM0-DRBR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup AS0140AT2C00XUSM0-DRBR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
AS0140AT2C00XUSM0-DRBR
- Part Number:
- AS0140AT2C00XUSM0-DRBR
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- 1MP 1/4 CIS SOC
- Wielkość zbiorów:
- 21406 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- AS0140AT2C00XUSM0-DRBR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.7 V ~ 1.98 V, 3 V ~ 3.6 V |
| Rodzaj: | CMOS |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 130-IBGA (8.5x8.5) |
| Seria: | Automotive, AEC-Q100 |
| Rozmiar piksela: | 3µm x 3µm |
| Package / Case: | 130-LFBGA |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 26 Weeks |
| Status bezołowiowy: | Lead free |
| Klatki na sekundę: | 60 |
| szczegółowy opis: | CMOS Image Sensor 1280H x 800V 3µm x 3µm 130-IBGA (8.5x8.5) |
| Aktywny Pixel Array: | 1280H x 800V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do AS0140AT2C00XUSM0-DRBR
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS