AS0140AT2C00XUSM0-DRBR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ AS0140AT2C00XUSM0-DRBR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ AS0140AT2C00XUSM0-DRBR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ AS0140AT2C00XUSM0-DRBR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
AS0140AT2C00XUSM0-DRBR
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- AS0140AT2C00XUSM0-DRBR
- ลักษณะ:
- 1MP 1/4 CIS SOC
- ปริมาณสต็อค:
- 21406 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- AS0140AT2C00XUSM0-DRBR.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 1.7 V ~ 1.98 V, 3 V ~ 3.6 V |
| ชนิด: | CMOS |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 130-IBGA (8.5x8.5) |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q100 |
| ขนาดพิกเซล: | 3µm x 3µm |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 130-LFBGA |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 26 Weeks |
| นำสถานะอิสระ: | Lead free |
| เฟรมต่อวินาที: | 60 |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | CMOS Image Sensor 1280H x 800V 3µm x 3µm 130-IBGA (8.5x8.5) |
| อาร์เรย์พิกเซลที่ใช้งานอยู่: | 1280H x 800V |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ AS0140AT2C00XUSM0-DRBR
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง