A2T21S260W12NR3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla A2T21S260W12NR3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla A2T21S260W12NR3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup A2T21S260W12NR3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
A2T21S260W12NR3
- Part Number:
- A2T21S260W12NR3
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
- Wielkość zbiorów:
- 43251 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- A2T21S260W12NR3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 28V |
| Napięcie - znamionowe: | 65V |
| Typ tranzystora: | LDMOS |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | OM-880X-2L2L |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | 218W |
| Package / Case: | OM-880X-2L2L |
| Inne nazwy: | 935339757528 |
| noise Figure: | - |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Zdobyć: | 17.9dB |
| Częstotliwość: | 2.11GHz ~ 2.2GHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 2.11GHz ~ 2.2GHz 17.9dB 218W OM-880X-2L2L |
| Aktualna ocena: | 10µA |
| Obecny - Test: | 1.6A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do A2T21S260W12NR3
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?