A2T21S260W12NR3 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ A2T21S260W12NR3 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ A2T21S260W12NR3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ A2T21S260W12NR3 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
A2T21S260W12NR3
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- A2T21S260W12NR3
- ผู้ผลิต:
- NXP Semiconductors / Freescale
- ลักษณะ:
- AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
- ปริมาณสต็อค:
- 43251 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- A2T21S260W12NR3.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 28V |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 65V |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | LDMOS |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | OM-880X-2L2L |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท: | 218W |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | OM-880X-2L2L |
| ชื่ออื่น: | 935339757528 |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | - |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 10 Weeks |
| ได้รับ: | 17.9dB |
| ความถี่: | 2.11GHz ~ 2.2GHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 2.11GHz ~ 2.2GHz 17.9dB 218W OM-880X-2L2L |
| พิกัดกระแส: | 10µA |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ: | 1.6A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ A2T21S260W12NR3
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS