A2T21H360-23NR6 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla A2T21H360-23NR6, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla A2T21H360-23NR6 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup A2T21H360-23NR6 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
A2T21H360-23NR6
- Part Number:
- A2T21H360-23NR6
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- RF TRANS 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 42179 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- A2T21H360-23NR6.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 28V |
| Napięcie - znamionowe: | 65V |
| Typ tranzystora: | LDMOS (Dual) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | OM-1230-4L2L |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | 373W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | OM-1230-4L2L |
| Inne nazwy: | 935322358528 |
| noise Figure: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 16.8dB |
| Częstotliwość: | 2.11GHz ~ 2.2GHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 500mA 2.11GHz ~ 2.2GHz 16.8dB 373W OM-1230-4L2L |
| Aktualna ocena: | 10µA |
| Obecny - Test: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do A2T21H360-23NR6
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen