A2T21H360-23NR6は今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはA2T21H360-23NR6のストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
A2T21H360-23NR6をLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
A2T21H360-23NR6
- 部品型番:
- A2T21H360-23NR6
- 説明:
- RF TRANS 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 42179 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- A2T21H360-23NR6.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 電圧 - テスト: | 28V |
| 電圧 - 定格: | 65V |
| トランジスタ型式: | LDMOS (Dual) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | OM-1230-4L2L |
| シリーズ: | - |
| 電力出力: | 373W |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | OM-1230-4L2L |
| 他の名前: | 935322358528 |
| 雑音指数: | - |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 3 (168 Hours) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 利得: | 16.8dB |
| 周波数: | 2.11GHz ~ 2.2GHz |
| 詳細な説明: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 500mA 2.11GHz ~ 2.2GHz 16.8dB 373W OM-1230-4L2L |
| 定格電流: | 10µA |
| 電流 - テスト: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのA2T21H360-23NR6
最新ニュース
- HBMの生産能力は除外され、DRAMメモリは今年の後半に不足している可能性があります
- 壁の創設者は終了し、HBMを終了し、ドラムを再び上昇させます
- AI携帯電話とPCの拡張需要、グローバル半導体製造業界の改善
- ネットワークセキュリティイメージセンサーのためのADAおよびキャビン監視システムのニーズを理解する
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます
- Moels Micro Electronicsは、ビジネス領域を拡大するために、中国の台湾に新しいオフィスを設立しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量